RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
45
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
28
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2505
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link