RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
45
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.1
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
25
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
16.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3912
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link