RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
45
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
34
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3138
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link