RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
45
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
27
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3683
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link