RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
45
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
20
Velocità di lettura, GB/s
12.3
20.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
19.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
4235
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link