RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
45
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
23
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2935
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link