RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KC5N22-MIE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
51
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.1
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
51
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2805
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link