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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
47
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
47
Velocità di lettura, GB/s
12.3
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2362
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
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