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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Punteggio complessivo
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Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.0 left arrow 6.6
    Valore medio nei test
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Motivi da considerare
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 45
    Intorno -50% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    45 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.3 left arrow 11.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.0 left arrow 6.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1992 left arrow 1832

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Memoria RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Memoria RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Memoria RAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Memoria RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Memoria RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kllisre D4 8G 8GB
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Memoria RAM
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