RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
45
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
38
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2148
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link