RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
45
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
32
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2942
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link