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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
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Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
45
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
39
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2188
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
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