RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
45
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
28
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3007
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link