RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
45
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
35
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2848
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link