RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
45
Intorno -105% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
22
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3110
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link