RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
45
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
23
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3327
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link