RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
45
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
31
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2330
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link