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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
45
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
34
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2789
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
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