RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
75
Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
75
Velocità di lettura, GB/s
12.3
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
1640
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link