RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
45
Intorno -125% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
20
Velocità di lettura, GB/s
12.3
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3483
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link