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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
45
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
27
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3029
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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