RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
48
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
27
Velocità di lettura, GB/s
8.9
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3587
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link