RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
48
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
27
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3587
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link