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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
42
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
2926
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
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