RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
42
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
2926
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link