RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3587
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link