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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
48
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
39
Velocità di lettura, GB/s
8.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2782
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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