Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 48

Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.1 8.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.9 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 39
Скорость чтения, Гб/сек

8.9 16.1
Скорость записи, Гб/сек

5.9 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1420 2782

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB

Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB

Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston 9905678-065.A00G 8GB

Kingston 9905678-065.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB

Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

модули RAM