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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
48
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.8
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
5.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
48
31
Velocità di lettura, GB/s
8.9
9.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
1304
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
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