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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
47
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
25
Velocità di lettura, GB/s
9.3
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2261
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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