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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Confronto
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
38
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
14.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
10.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
38
Velocità di lettura, GB/s
14.7
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2592
2298
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
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