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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Comparar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
38
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
10.6
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
38
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
10.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2592
2298
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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