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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

総合得点
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

総合得点
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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 38
    周辺 3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 14.6
    テスト平均値
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.8 left arrow 10.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    14.7 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.6 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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