Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    37 left arrow 38
    Wokół strony 3% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    14.7 left arrow 14.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.8 left arrow 10.6
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    37 left arrow 38
  • Prędkość odczytu, GB/s
    14.7 left arrow 14.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.6 left arrow 10.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2592 left arrow 2298
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania