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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Compara
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
38
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2592
2298
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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