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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Comparez
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Note globale
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
38
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
38
Vitesse de lecture, GB/s
14.7
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2592
2298
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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