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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
比较
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
总分
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.8
10.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
14.7
14.6
写入速度,GB/s
10.6
10.8
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2592
2298
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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