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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
47
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
26
Velocità di lettura, GB/s
9.3
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
3515
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
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