Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    53 left arrow 55
    Intorno -4% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    10.1 left arrow 9.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.0 left arrow 7.4
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    55 left arrow 53
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.3 left arrow 10.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.4 left arrow 8.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2078 left arrow 2319
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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