RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
55
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
55
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
8.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2078
2319
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link