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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
55
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.1
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
55
53
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
10.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2078
2319
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
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