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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
比较
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
53
55
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.1
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
55
53
读取速度,GB/s
9.3
10.1
写入速度,GB/s
7.4
8.0
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2078
2319
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
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