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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
47
Intorno -124% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.1
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.4
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
21
Velocità di lettura, GB/s
9.3
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
19.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
4089
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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