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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
47
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
21
读取速度,GB/s
9.3
20.1
写入速度,GB/s
5.9
19.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
4089
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
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