RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
47
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
27
Velocità di lettura, GB/s
9.3
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2173
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link