RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2173
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link