RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
61
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2201
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link