RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
61
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
61
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,835.2
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,077.3
10.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
606
2201
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link