Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

総合得点

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

総合得点

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 14.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,077.3 10.9

テスト平均値

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

34 61

周辺 -79% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 6400

周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

61 34
読み出し速度、GB/s

3,835.2 14.3
書き込み速度、GB/秒

2,077.3 10.9
メモリ帯域幅、mbps

6400 17000

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

606 2201

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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