RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Comparar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,077.3
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
61
Por volta de -79% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,835.2
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,077.3
10.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
606
2201
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link